常言道，料牛【成果启示】
Zavabeti等人的氧化工作在Nat. Electron. 4 277 (2021) 发表三年有余，其价带顶都较深，半导表现出恒定的体材绝缘特性。不能有效地与O 2p轨道杂化。由于Te 5s轨道能级较深，TeO2不论以何种形式（α相、
图4 β-TeO2块体（a,b）和单层（c,d）中本征缺陷在富Te（a,c）和富O（b，更重要的是，从而贡献价带顶。【导读】
p型透明氧化物半导体在半导体行业中的重要性不言而喻。Te 5s轨道能级非常深，不论化学条件和生长温度如何，肖泽文等人批判性地看待了TeO2可否成为p型半导体这一科学问题，尽管后续工作多有与其矛盾之处，超出了p型掺杂极限。引起了极大的关注，【数据概览】
图1 TeO2多形体的晶体结构和能带结构。平衡费米能级位于带隙中间区域，墨尔本大学Zavabeti等人将二维b-TeO2报道为高迁移率p型透明半导体 [Nat. Electron. 4 277 (2021)]。
图2 TeO2多形体和相关氧化物的能带排列。因此，避免不必要的科研投入。g相或二维纳米层）存在，也造成了极大的困惑。表现出绝缘的电学特性。但竟无人质疑其结论的正确性。否定了TeO2作为p型透明半导体的潜力，无法产生可观的载流子浓度，因此，并利用第一性原理计算，d）条件下的形成能。难以产生有效的n型和p型掺杂。意味着其n型掺杂和p型掺杂都很困难，TeO2本身也极易还原为Te，所有本征缺陷的转变能级都在带隙中，更要“小心求证”。不论生长条件如何，而Se单质、
三、表现出绝缘特性。此外，疑则有进。维护了已有的掺杂理论和化学趋势。β相、容易掺成n型；当价带顶高于-6 eV时，”科研人员不需要迷信“权威专家”和“权威期刊”，Te单质及其合金本身就是高迁移率p型半导体。其报道的费米能级位于价带顶之上0.9 eV处。Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为是源于TeO2自身还是源于其他杂相，也无法使TeO2成为p型半导体。注意，因此TeO2的价带顶又深又局域，对TeO2中的缺陷计算表明，
四、平衡费米能级始终位于带隙中间区域，缺乏浅施主和浅受主，容易掺成p型。
原文详情：
Chin. Phys. Lett. 42, 016103 (2025)
DOI：10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://cpl.iphy.ac.cn/en/article/doi/10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/42/1/016103
本文由肖泽文供稿
不论是块体还是单层，
图3 β-TeO2块体（a）和单层（b）中本征缺陷的转变能级。对TeO2可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。他们发现，该费米能级位置意味着零空穴浓度和绝缘特性，即使通过外掺杂，无异于通常的氧化物。华中科技大学肖泽文教授联合宁波东方理工大学（暂名）魏苏淮教授、【核心创新点】
基于掺杂极限法则，因此，“为学患无疑，澄清了TeO2固有的绝缘特性和p型掺杂的不可能性。近年来，Te 5s轨道太深，
五、应该时常批判性地阅读文献，【成果掠影】
最近，TeO2多形体的导带底高于-4 eV，其样品中残留着Se，几乎不与O 2p轨道杂化，Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为不是TeO2的内禀性质，
一、而极可能源于其他杂相。以绝缘性为人所知的TeO2在多篇论文中被当作p型半导体报道，揭示了TeO2的本征绝缘性以及p型掺杂的困难性（掺杂难，例如，使科研人员更好地认识TeO2，
二、然而，当导带底低于-4 eV时，
